Категории: ДомЗдоровьеЗоологияИнформатикаИскусствоИскусствоКомпьютерыКулинарияМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОбразованиеПедагогикаПитомцыПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРазноеРелигияСоциологияСпортСтатистикаТранспортФизикаФилософияФинансыХимияХоббиЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Разработка модулей памяти на БИС ЗУПри разработке типового модуля памяти выполняется либо наращивание разрядности, либо наращивание емкости, либо (что чаще всего) и то и другое. Это связано с тем, что как правило одна микросхема БИС ЗУ не обеспечивает заданных характеристик модуля памяти. Примеры наращивания указанных параметров модуля приведены на рис. 8.4, 8.5, 8.6.
Рис.8.4. Модуль памяти с характеристиками:
1. Еозу= 8 К 2. Rозу= 16 3. БИС ЗУ имеет организацию: 8384х4
Рис.8.5. Модуль памяти с характеристиками:
1. Еозу= 8 К 2. Rозу= 16 3. БИС ЗУ имеет организацию: 2048х16
Пример№3
Рис. 8.6 Модуль памяти с характеристиками: 1. Еозу= 8 К 2. Rозу= 16 3. БИС ЗУ имеет организацию: 4096х4.
Выводы: 1. Если требуется наращивать разрядность, то необходимо развести разряды с шины данных, при этом работают все микросхемы. 2. Если требуется наращивать емкость, то необходимо развести разряды с шины адреса, при этом работает одна из микросхем.
Задание для работы на занятии 1. Выбор БИС запоминающих устройств (ЗУ). 2.Разработка структуры модуля ЗУ. Задание на самоподготовку: 1. Решить по одной задаче в том же порядке и в той же постановке, что и на занятии. Исходные данные задать самостоятельно.
Контрольные вопросы 1. Сформулируйте принцип дуализма в микропроцессорной технике. 2. Приведите типовую структуру магистральной МПС. 3. Проанализируйте структуры сосредоточенных МПС по различным критериям (производительность, потребляемая мощность, габариты и др). 4. Почему в микропроцессорных РЭС широко используется функциональная децентрализация? 5. Почему в состав МПК БИС включают интерфейсные схемы? 6. Как работают адресные дешифраторы? 7. В чем заключается сущность программно-управляемого обмена данными? 8. Что подразумевается под прерыванием? 9. Объясните особенности организации режима прямого доступа к памяти. 10. Что характеризует слово состояния процессора? 11. Объясните функциональное назначение регистра флажков. 12.Чем вызвано обилие способов адресации микропроцессора? 13. В каких системах используется страничная память? 14. Зачем при программировании пользуются мнемоническими обозначениями и шестнадцатеричным кодом? 15. Объясните назначение сегментных регистров в программной модели микропроцессора. 16. Объясните сущность организации управления в однокристальных и секционных микропроцессорах. 19. Что подразумевается под памятью статической, динамической и памятью, не сохраняющей информацию при отключении напряжения питания? 20. Как осуществляется занесение информации в полупроводниковые ПЗУ?
ПРИЛОЖЕНИЕ 8.1
Вариант 1. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,5К х 4; tдоступа≤48нс; pпотребл.≤16вт; uпит=5В.
Вариант 2. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,25К х 8;tдоступа≤40нс;pпотребл.≤16вт; uпит=5В.
Вариант 3. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 1К х 2; tдоступа≤45нс; pпотребл.≤10вт; uпит=5В.
Вариант 4. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,25К х 8;tдоступа≤40нс;pпотребл.≤16вт; uпит=5В.
Вариант 5. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,5К х 4; tдоступа≤48нс; pпотребл.≤16вт; uпит=5В.
Вариант 6. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,5К х 4; tдоступа≤48нс; pпотребл.≤16вт; uпит=5В.
Вариант 7. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,25К х 8;tдоступа≤40нс;pпотребл.≤16вт; uпит=5В.
Вариант 8. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 1К х 2; tдоступа≤45нс; pпотребл.≤10вт; uпит=5В.
Вариант 9. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,25К х 8;tдоступа≤40нс;pпотребл.≤16вт; uпит=5В.
Вариант 10. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,5К х 4; tдоступа≤48нс; pпотребл.≤16вт; uпит=5В. Вариант 11. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,5К х 4; tдоступа≤48нс; pпотребл.≤16вт; uпит=5В.
Вариант 12.Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,25К х 8;tдоступа≤40нс;pпотребл.≤16вт; uпит=5В.
Вариант 13. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 1К х 2; tдоступа≤45нс; pпотребл.≤10вт; uпит=5В.
Вариант 14. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,25К х 8;tдоступа≤40нс;pпотребл.≤16вт; uпит=5В.
Вариант 15. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,5К х 4; tдоступа≤48нс; pпотребл.≤16вт; uпит=5В.
Вариант 16. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,5К х 4; tдоступа≤48нс; pпотребл.≤16вт; uпит=5В.
Вариант 17. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,25К х 8;tдоступа≤40нс;pпотребл.≤16вт; uпит=5В.
Вариант 18. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 1К х 2; tдоступа≤45нс; pпотребл.≤10вт; uпит=5В.
Вариант 19. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,25К х 8;tдоступа≤40нс;pпотребл.≤16вт; uпит=5В.
Вариант 20. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,5К х 4; tдоступа≤48нс; pпотребл.≤16вт; uпит=5В.
ПРИЛОЖЕНИЕ 8.2
Таблица характеристик ИМС ЗУ 155 серии
Литература:
Каган Б.М. ЭВМ и системы. стр.42-66.
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-07-23 lectmania.ru. Все права принадлежат авторам данных материалов. В случае нарушения авторского права напишите нам сюда... |