Главная Случайная страница


Категории:

ДомЗдоровьеЗоологияИнформатикаИскусствоИскусствоКомпьютерыКулинарияМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОбразованиеПедагогикаПитомцыПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРазноеРелигияСоциологияСпортСтатистикаТранспортФизикаФилософияФинансыХимияХоббиЭкологияЭкономикаЭлектроника






Пристрої постійної пам’яті (ППП)

 

Пристрої постійної пам’яті – це ППП, в яких існує постійна залежність між вхідною та вихідною інформацією. При виклику одної адреси у ППП завжди зчитується одна заздалегідь визначена інформація, що відповідає цій адресі. Головною особливістю ППП є можливість зберігання даних на тривалий час за відсутністю джерела живлення. ППП призначений для зберігання підпрограм, різних констант, потрібних в процесі обробки інформації тощо. Вони працюють тільки в режимі багаторазового зчитування інформації.

ППП відрізняються від ПОП відсутністю схем запису та відновлення інформації. Період звертання у декілька разів менший за ПОП.

За способом занесення інформації ППП розділяють на масочні, програмовані користувачем (ПППП) та репрограмовані (РППП).

Перші два є одноразового програмування, РППП – багаторазового занесення інформації.

Масочні ППП.

Рисунок 8.8 Масочний ППП


В таких ППП інформація записується у процесі виготовлення мікросхеми.

На рисунку 8.8 представлена схема перетворювача одного коду на інший.

Формування слів у матриці відбувається у процесі виготовлення схеми (знищують або залишають перемички від бази транзистора до загального провідника від дешифратора).

Такі ППП надійні, недоліком є неможливість змінити інформацію, що занесена раніше. Прикладами таких ППП є:

К155РЕ21 - перетворювач двійкового коду на код знаків кирилиці (рос.),

К155РЕ22 - на знаки латинського алфавіту,

К155РЕ23 - на цифри та арифметичні знаки.

Програмовані ППП

Схожі з масочними, але перепалювання перемички здійснює сам користувач. Для цього до структури інтегральної мікросхеми (ІС) вводять спеціальні пристрої, що вмикають до виходів та забезпечують формування струму програмування. Перемички виробляють з легкоплавкого матеріалу з низьким опором.

Оператор, відповідно своєму завданню ручним способом або автоматично пропалює перемички імпульсами струму в потрібних місцях між емітером транзистора та вихідними шинами, а потім перевіряє здобутий стан.

Перевагою таких ППП є можливість програмування схеми за власним бажанням. Недолік полягає в тому, що неможливо перепрограмувати схему.

 

Вихід

 

Рисунок 8.9 Програмовані ППП

 

Репрограмовані ППП

РППП розділяють на 2 класи за способом програмування мікросхеми:

з режимом запису/стирання електричним сигналом, запис електричним сигналом / стирання ультрафіолетовим променем.

Етап 1. 15-20 хвилин здійснюють опромінення ультрафіолетовим променем через віконце інтегральної мікросхеми.

Етап 2. P-n перехід Стік-Підложка зміщують у зворотньому напрямі, при цьому дана напруга має бути достатньою для електричного пробивання (приблизно 30 В). Частина носіїв заряду, активована в результаті пробивання має енергію, достатню для проходження енергетичного бар’єру між напівпровідником та діелектриком. Інжектовані в діелектрику носії заряду дрейфують до плаваючого затвору та захоплюються ним, утворюючи накопичення заряду.

ФЛЕШ-Пам’ять

 

Перші ПП для мікроконтролерів виконувались у вигляді масочних ПП, але їх не можна було перепрограмувати. Потім з’явилися ПППП, що будувались на лавинно-інжекційних ППП, які мали порівняно великий час стирання. Щоб прискорити процес стирання ввели другий затвор (конструкція з розщепленим затвором, рисунок 8.11). Таким чином, програмування та стирання відбувається з високою ефективністю за рахунок оптимального вибору відстані між усіма електродами; заряд на плаваючий затвор попадає з малими втратами. Достатньо 1 мкА, щоб записати інформацію. На відміну від лавинно-інжекційних ППП, ФЛЕШ-пам’ять має велику швидкість стирання, велику швидкість програмування, немалу кількість циклів перепрограмування.

 

Последнее изменение этой страницы: 2016-07-27

lectmania.ru. Все права принадлежат авторам данных материалов. В случае нарушения авторского права напишите нам сюда...