Главная Случайная страница


Категории:

ДомЗдоровьеЗоологияИнформатикаИскусствоИскусствоКомпьютерыКулинарияМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОбразованиеПедагогикаПитомцыПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРазноеРелигияСоциологияСпортСтатистикаТранспортФизикаФилософияФинансыХимияХоббиЭкологияЭкономикаЭлектроника






Дискретные полосовые фильтры ФП1П1-61

    Обозначение     Центральная частота кГц Полоса пропускания по уровню 6 дБ, кГц Полоса пропускания       3атуханис дБ, не менее, в полосе задерживания (± 30 кГц)     Вносимое затухание, дБ, не более
не менее не более по уровню, дБ   Ширина кГц не более
ФПШ1-61,01 465±2 10,5  
ФПШ1-61,02 465±2 11,5
ФП1П1-61,03 465±2 11,5
ФП1П1-61,04 j 455±2 -

 

 

 

 

Монолитные полосовые фильтры ФП1П6
Обозначение Центральная частота кГц Полоса пропускания по уровню Вносимое затухание.дБ, не более Гарантированное затухание в полосе 8-12 МГц, дБ, не менее Неравномерность группового времени замедления в полосе /ном 50кГц нсек, не более
6 дБ, кГц 20 дБ, кГц не более
ФП1П6-1.1 10,7 10,7*0,1 170- 240 -
ФП1П6-1.2 10,7 10,7±0,1 220- 310 -
ФП1П6-1.3 10,7 10,7±0,1 220- 310
ФП1П6-1,4 10,7 10,7±0,1 220- 310
ФШП6-1,5 10,7 10,7±0,03 150- 220 II -
ФП1П6-1,6 10,7 10,7±0,03 190- 280 550 -

 

Дискриминаторные фильтры

    Условия измерения | Коэффициент нелинейных искажений демодулированного сигнала,
Обозначение Номинальная частота Допустимое отклонение несущей частоты от номинальной, кГц Девиация, кГц Модулирующая частота, кГц Шунтирующее сопротивление, кОм
ФП1Д1-22-01 2,7
ФП1Д1-22-02 1,8
ФП1Д1-22-03 2,7
ФП1Д1-22-04 2,7
ФП1Д6-23-01 -
ФП1Д6-23-02 -
ФП1Д6-23-03 -
Рекомендуемые микросхемы: К174ХА26 (ФП1Д1-22) ТА2003Р (Toshiba) (ФП1Д6-23-01/02) СХА1019 (Sony) (ФП1Д6-23-03)

 

Резонаторы

Серийные типы резонаторов: РП-09 (432кГц), РП-10 (3,58МГц), РП-12 (500кГц). Отклонение рабочей частоты от номинальной 0,5%.

Отклонение частоты в интервале температур от -25 до +60оС не более 0,5%.

Без дополнительной подготовки производства предприятие может изготовить резонаторы на частоты от 400кГд до 800кГц и от 3МГц до 13МГц

 

Маршрутно-технологические карты.

Технический процесс изготовления изделий.

1.Конструкторские документы:

─Чертежи (конкретно указано изделие, из чего оно состоит);

─ГОСТ или Технические Условия (для чего предназначено изделие, условия эксплуатации, конкретно указаны требуемые параметры к данному изделию).

2.Правила приёмки:

─Типовые испытания;

─Квалификационные испытания (на стадии установочной партии);

─Периодические испытания (делаются на готовом изделии 1 или 2 раза в год). Их проводит служба технического контроля.

Периодические испытания бывают на вибропрочность, на воздействие температуры, влажности, давления и т.п. Для проведения периодического испытания изделие прежде подвергается приёмосдаточному испытанию, которое применимо к каждому изделию.

Комплект технологической документации (КТД).

Он разрабатывается технологами, утверждается главным инженером, согласуется главным метрологом и главным контролёром.

КТД состоит из:

1.Маршрутная карта. Она подробно расписывает операции данного технологического процесса, оборудование, применяемое в данном производстве, технику безопасности.

2.Комплектовочная карта содержит: материалы, необходимые для производства с указанием ГОСТа, ТУ и пр.; нормы расходов этих материалов на тысячу штук изделий.

3.Операционные карты – основной документ для исполнителей. В них указаны материалы, расход материалов и как эту операцию проводить. Они делятся на 3 части:

─подготовка рабочего места;

─описание операций;

─техника безопасности.

4.Контрольная карта.

5.Технологические инструкции.

 

 

Приложение Б

 

Электрофизика пьезоэлементов.

Пьезоэлектрический эффект

В некоторых кристаллах поляризация может возникнуть и без внешнего поля, если кристалл подвергается механическим деформациям. Это явление, открытое в 1880 г. Пьером и Жаком Кюри, получило название пьезоэлектри­ческого эффекта.

Чтобы обнаружить пьезоэлектрические заряды, на грани крис­таллической пластинки накладывают металлические обкладки. При разомкнутых обкладках между ними при деформации появ­ляется разность потенциалов. При замкнутых обкладках на них образуются индуцированные заряды, равные по величине поляризационным зарядам, но противоположные им по знаку, и в цепи, соединяющей обкладки, в процессе деформации возникает ток. Рассмотрим основные особенности пьезоэлектрического эффекта на примере кварца. Кристаллы кварца SiO2 существуют в различ­ных кристаллографических модификациях. Интересующие нас кристаллы (a-кварц) принадлежат к так называемой тригональной кристаллографической системе и обычно имеют форму, показанную на рис. 1. Они напоминают ше­стигранную призму, ограниченную двумя пирамидами, однако имеют еще ряд дополнительных граней. Такие кристаллы характеризу­ются четырьмя кристаллическими осями, определяющими важные направления внутри кристалла.

Одна из этих осей - Z соединяет вершины пирамид. Три другие X1, Х2, Х3 перпендикулярны к оси Z и соединяют противолежащие ребра шестигранной призмы. Направление, определяемое осью Z, пьезоэлектрически неактивно: при сжатии или растяжении по этому направлению никакой поляризации не происходит. Напро­тив, при сжатии или растяжении в любом направлении, перпен­дикулярном к оси Z, возникает электрическая поляризация. Ось Z называется оптической осью кристалла, а оси X1, Х2, Х3 - электри­ческими или пьезоэлектрическими осями.

Рассмотрим пластинку кварца, вырезанную перпендикулярно к одной из пьезоэлектрических осей X. Ось, перпендикулярную к Z и X, обозначим через Y (рис. 2). Тогда оказывается, что при растяжении пластинки вдоль оси Х на перпендикулярных к ней гранях АВСD и ЕFGН появляются разноименные поляризацион­ные заряды. Такой пьезоэлектрический эффект называется продольным. Если изменить знак деформации, т. е. перейти от растяжения к сжатию, то и знаки поляризационных зарядов изменятся на об­ратные.

. Рис. 1. Кристалл кварца.

Возникновение поляризационных зарядов определенных знаков при данном типе деформации (растяжение или соответственно сжатие) показывает, что концы осей Х неравноправны, и осям Х можно приписать определенные направления (что отмечено на рис. 1 стрелками). Это значит, что при данной деформации знак заря­да зависит от того, направлена ли ось Х по внешней нормали к грани или по вну­тренней. Такие оси с неравноправными концами получили название полярных осей. В отличие от полярных осей Х1, Х2, Х3, концы оси Z совершенно равноправны и она является неполярной осью.

Рис. 2. Кварцевая пластинка, вырезанная перпендикулярно к пьезоэлектрической оси.

Неравноправность концов полярной оси проявляется, конечно, не только в пьезоэлектрическом эффекте, но и в других явлениях. Так, например, скорость химического травления граней, расположенных у разных концов полярной оси, оказывается различной и получающиеся при этом фигуры травления отличаются друг от друга.

Наряду с продольным пьезоэлектрическим эффектом существует также поперечный пьезоэлектрический эффект. Он заключается в том, что при сжатии или растяжении вдоль оси Y возникает поля­ризация вдоль оси Х и на тех же гранях АВСD и ЕFGН появляются поляризационные заряды. При этом оказывается, что знаки зарядов на каждой грани при сжатии вдоль Y (в поперечном эффекте) та­кие же, как при растяжении вдоль Х (в продольном эффекте).

Пьезоэлектрический эффект объясняется следующим образом В ионных кристаллах вследствие несовпадения центров положительных и отрицательных ионов имеется электрический момент и в отсутствие внешнего электри­ческого поля. Однако эта поляризация обычно не проявляется, так как она компенсируется зарядами на поверхности. При де­формации кристалла положительные и отрицательные ионы ре­шетки смещаются друг относительно друга, и поэтому, вообще говоря, изменяется электрический момент кристалла. Это измене­ние электрического момента и проявляется в пьезоэлектрическом эффекте.

Рис. 3 качественно поясняет возникновение пьезоэлектрического эффекта в кварце. Здесь схематически показаны проекции положи­тельных ионов Si (заштрихованные кружки) и отрицательных ионов О (светлые кружки) в плоскости, перпендикулярной к оптической оси Z. Этот рисунок не соответствует фактической конфигурации ионов в элементарной ячейке кварца, в которой ионы не лежат в одной плоскости, а их число больше показанного. Он, однако, правильно передает симметрию взаимного расположения ионов, что уже достаточно для качественного объяснения.

Рис. 3, а) соответствует недеформированному кристаллу. На грани A, пер­пендикулярной к оси X1, имеются выступающие положительные заряды, а на параллельной ей грани В - выступающие отрицатель­ные заряды. При сжатии вдоль оси X1 (рис. 3, б) элементарная ячейка деформируется. При этом положительный ион 1 и отрица­тельный ион 2 “вдавливаются” внутрь ячейки, отчего выступающие заряды (положительный на плоскости А и отрицательный на плос­кости В) уменьшаются, что эквивалентно появлению отрицатель­ного заряда на плоскости А и положительного заряда на плос­кости В. При растяжении вдоль оси X1 имеет место обратное (рис. 3, в): ионы 1 и 2 “выталкиваются” из ячейки. Поэтому на грани А возникает дополнительный положительный заряд, а на грани В - отрицательный заряд.

а) б)

в)

Рис. 3. К объяснению пьезоэлектрического эффекта.

Расчеты в теории твердого тела в согласии с опытом показывают, что пьезоэлектрический эффект может существовать только в таких кристаллах, в которых элементарная ячейка не имеет центра сим­метрии. Так, например, элементарная ячейка кристаллов CsCl (рис. 4) имеет центр симметрии и эти кристаллы не обнаруживают пьезоэлектрических свойств. Расположение же ионов в ячейке кварца таково, что в нем центр симметрии отсутствует, и поэтому в нем возможен пьезоэлектрический эффект.

Рис. 4. Элементарная ячейка кристалла хлористого цезия CsCl.

Величина вектора поляризации Р (и пропорциональная ей поверхностная плотность пьезоэлектрических зарядов о') в определенном интервале изменений пропорциональна величине механических деформаций. Обозначим через и дефор­мацию одностороннего растяжения вдоль оси X:

u=Dd/d, (1)

где d - толщина пластинки, а Dd — ее изменение при деформации. Тогда, напри­мер, для продольного эффекта имеем

P=Px=bu (2)

Величина b называется пьезоэлектрическим модулем. Знак b может быть как поло­жительным, так и отрицательным. Так как и безразмерная величина, то b изме­ряется в тех же единицах, что и Р, т.е. в Кл/м2. Величина поверхностной плотно­сти пьезоэлектрических зарядов на гранях, перпендикулярных к оси X, равна s'=Рх

Вследствие возникновения пьезоэлектрической поляризации при деформации изменяется и электрическое смещение D внутри кристалла. В этом случае в общем определении смещения под Р нужно понимать сумму Рe+Pu, где Pe oбусловлено электрическим полем, а Рu — деформацией. В общем случае направле­ния Е, Pe и Рu не совпадают и выражение для D получается сложным. Однако для некоторых направлений, совпадающих с осями высокой симметрии, направления указанных векторов оказываются одинаковыми. Тогда для величины смещения можно написать

D=e0eE+bu, (3)

где Е - напряженность электрического поля внутри кристалла, а e - диэлектри­ческая проницаемость при постоянной деформации. Соотношение справед­ливо, например, при деформации одностороннего растяжения (сжатия) вдоль одной из электрических осей X. Оно является одним из двух основных соотноше­ний в теории пьезоэлектричества (второе соотношение приведено).

Пьезоэлектрический эффект возникает не только при деформации одностороннего растяжения, но и при деформациях сдвига.

Пьезоэлектрические свойства наблюдаются, кроме кварца, у большого числа других кристаллов. Гораздо сильнее, чем у квар­ца, они выражены у сегнетовой соли. Сильными пьезоэлектриками являются кристаллы соединений элементов 2-й и 6-й групп периоди­ческой системы (СdS, ZnS), а также многих других химических соединений.

Последнее изменение этой страницы: 2016-08-11

lectmania.ru. Все права принадлежат авторам данных материалов. В случае нарушения авторского права напишите нам сюда...