Категории: ДомЗдоровьеЗоологияИнформатикаИскусствоИскусствоКомпьютерыКулинарияМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОбразованиеПедагогикаПитомцыПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРазноеРелигияСоциологияСпортСтатистикаТранспортФизикаФилософияФинансыХимияХоббиЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Программа основного вступительного испытанияПроректор по учебной работе
_______________А.Л.Толстик
Рег. № ___________________
Программа основного вступительного испытания По физической электронике Для поступающих в магистратуру По специальности 1-31 80 08 «Физическая электроника»
Минск
Авторы: Гайдук Петр Иванович, д.ф.-м.н., профессор, Бурмаков Александр Пантелеевич, к.ф.-м.н., доцент, Садов Василий Сергеевич, доцент, к.т.н., Демидчик Валерий Иосифович, доцент, к.ф.-м.н., Семенчик Владимир Григорьевич, к.ф.-м.н., доцент, Кольчевский Николай Николаевич, к.ф.-м.н., доцент, Карих Евгений Дмитриевич, к.ф.-м.н., доцент, Леонтьев Александр Викторович, к.ф.-м.н., доцент, Микулович Владимир Иванович, к.ф.-м.н., доцент, Хейдоров Игорь Эдуардович, к.ф.-м.н., доцент
Утверждена Советом факультета радиофизики и компьютерных технологий (протокол №7 от 29 апреля 2016 г.)
Ответственный за редакцию: Людчик О.Р.
Интегральная электроника 1. Структура и элементная база цифровых систем. 2. Классификация и основные параметры микросхем памяти. Статические и динамические ОЗУ. Микросхемы ПЗУ и РПЗУ. 3. Микросхемотехника операционных усилителей. Особенности применения операционных усилителей в электронных приборах. 4. Интегральные аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи. Литература 1. Алексеенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника: Учеб. пособие для вузов. М.: Радио и связь, 1990. 2. Коломбет Е.А. Микроэлектронные средства обработки аналоговых сигналов. М.: Радио и связь, 1991. 3. Миловзоров В.П. Элементы информационных систем. М.: Высш. шк., 1989.
Физика твердого тела 5. Обратная решетка, векторы обратной решетки. Дифракция в кристаллах. Зоны Бриллюэна. 6. Типы связей в кристаллах. Силы Ван-дер-Ваальса-Лондона. Ионные, ковалентные, металлические кристаллы, кристаллы с водородными связями. 7. Дефекты в твердых телах: классификация; точечные и радиационные дефекты, дислокации. 8. Фононы и колебания решетки. 9. Ангармонические взаимодействия в кристаллах. Тепловое расширение. Теплопроводность. Литература 1. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. 2. Ашкрофт М., Мермин Н. Физика твердого тела. М.: Мир, 1979. 3. Блейкмор Дж. Физика твердого тела. М.: Мир, 1988. 4. Епифанов Г.И. Физика твердого тела. М.: Высш. шк., 1977.
Химия твердого тела 10. Правило фаз. Фазовые диаграммы 1-го и 2-го рода. 11. Классификация фазовых переходов по Эренфесту и Бюргеру. Литература 1. Хенней Н. Химия твердого тела. М. Мир, 1971. 2. Гилевич М.П., Покровский И.И. Химия твердого тела. Мн.: Университетское, 1985. 3. Вест А. Химия твердого тела. Теория и приложение: В 2 ч. М.: Мир, 1988.
Физика полупроводников 12. Уравнения Шредингера для кристаллов. Эффективная масса носителей заряда. 13. Функции распределения Ферми-Дирака. Зависимость положения уровня Ферми от концентрации примеси и температуры. 14. Удельная проводимость вырожденного и невырожденного полупроводника. Эффект Холла. 15. Генерация и рекомбинация неравновесных носителей заряда в полупроводниках. Литература 1. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976. 2. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. М.: Высш.шк., 1984. 3. Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982.
Физика полупроводниковых приборов 16. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика электронно-дырочного перехода. Барьерная емкость. 17. Контакт металл-полупроводник. Барьер Шотки. Гетеропереходы. 18. Биполярный транзистор. Параметры и характеристики транзисторов. Статические характеристики транзисторов. Эквивалентные схемы транзисторов. 19. Переходные процессы в диодах. Обращенные диоды. Туннельные диоды. 20. Пробой выпрямляющего перехода. Стабилитроны. Тиристоры. 21. Полевые транзисторы. Приборы с зарядовой связью. Литература 1. Пасынков В.В. и др. Полупроводниковые приборы. М.: Высш. шк., 1987. 2. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. М.: Сов. Радио, 1980.
Взаимодействие частиц и излучения с веществом 22. Эмиссия первичных, вторичных и Оже-электронов при облучении поверхности электронным потоком. 23. Пробеги ионов в твердом теле, каналирование ионов. 24. Физическое распыление поверхности ионным потоком. Модель процесса, зависимость коэффициента распыления от энергии и угла падения ионов. 25. Химическое травление поверхности потоками ионов и нейтральных атомных частиц. Литература 1. Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии. М.: Высш. шк., 1988. 2. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. М.: Энергоатомиздат, 1987. 3. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. М.: Мир, 1985.
Материалы электронной техники 26. Классификация, свойства и области применения проводящих материалов. Литература 1. Пасынков В.В. и др. Материалы электронной техники. М.: Высш. шк., 1987. 2. Гайдук П.И., Комаров Ф.Ф., Людчик О.Р., Леонтьев А.В. Материалы микро- и наноэлектроники. Мн.: Изд-во БГУ, 2008
Теория колебаний и волн 40. Понятие о фазовой плоскости. Изображение колебательных процессов на фазовой плоскости. 41. Вынужденные колебания в слабонелинейной системе с одной степенью свободы. 42. Мягкий и жесткий режим самовозбуждения автоколебательной системы осцилляторного типа. 43. Параметрическое возбуждение колебаний в контуре с нелинейным реактивным элементом. 44. Распространение модулированных волн в диспергирующей среде. 45. Эффект Фарадея при распространении электромагнитных волн в анизотропных средах. Литература 1. Мигулин В.В. и др. Основы теории колебаний. М.: Наука, 1988. 2. Демидчик В.И. Элементы теории колебаний. Мн: Изд-во БГУ, 2004 3. Кравченко И.Т. Теория волновых процессов. Мн: Высшая школа, 1985 4. Виноградова М.Б. Теория волн. М.: Наука, 1979.
СВЧ-электроника 52. Основные уравнения электроники СВЧ и приближенные методы их решения. 53. Устройства и принцип работы отражательного клистрона. Способы перестройки частоты генерации отражательного клистрона. 54. Устройство и принцип работы усилителя на ЛБВО. Частотная характеристика и полоса пропускания усилителя на ЛБВО. Литература 1. Федоров Н.Д. Электронные приборы СВЧ и квантовые приборы. М., 1979. 2. Трубецков Д.Н., Храмов А.Е. Лекции по СВЧ электронике в 2 т. М.: Физматлит, 2005.
Проректор по учебной работе
_______________А.Л.Толстик
Рег. № ___________________
Программа основного вступительного испытания По физической электронике Для поступающих в магистратуру |
|
Последнее изменение этой страницы: 2016-08-11 lectmania.ru. Все права принадлежат авторам данных материалов. В случае нарушения авторского права напишите нам сюда... |