Главная Случайная страница


Категории:

ДомЗдоровьеЗоологияИнформатикаИскусствоИскусствоКомпьютерыКулинарияМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОбразованиеПедагогикаПитомцыПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРазноеРелигияСоциологияСпортСтатистикаТранспортФизикаФилософияФинансыХимияХоббиЭкологияЭкономикаЭлектроника






Расчет тока проводимости контакта двух полупроводников

Лабораторная работа №5

КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИФФУЗИОННЫХ ПРОЦЕССОВ ПРИ КОНТАКТЕ ДВУХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Расчет диффузионной длины носителей зарядов контакта

Двух полупроводников

Приложение прямого напряжения к контакту двух полупроводни-ков приводит к понижению потенциального барьера между p – и n – областями. Это определяет перераспределение концентрации носителей заряда в приконтактной области вследствие процесса диффузии. Для расчета распределения концентрации носителей заряда в приконтакт-ной области воспользуемся уравнениями непрерывности:

(1)

где Dp и Dn – диффузионные постоянные для дырок и электронов;

и – время жизни дырок и электронов;

gp и gn – скорости генерации дырок и электронов;

– напряженность электрического поля в приконтактной области.

В свою очередь, коэффициенты диффузии связаны с подвижностью носителей заряда соотношениями Эйнштейна:

.

При приложении к контакту двух полупроводников прямого на-пряжения, потенциальный барьер, определяемый ионизированными атомами акцепторной и донорной примесями, будет понижаться. При напряжениях, соизмеримых с контактной разностью потенциалов, можно полагать, что напряженность электрического поля в прикон-тактной области будет равна нулю.

Полагая, что генерационные эффекты, связанные с возбуждением носителей зарядов в приконтактной области отсутствуют, можно за-писать для дырочных носителей заряда:

. (2)

Решение этого уравнения будет иметь вид:

, (3)

где A и B – постоянные интегрирования.

Первое слагаемое этого решения не удовлетворяет физическим условиям, так как увеличение x приводит к росту концентрации нерав-новесных носителей заряда. Поэтому постоянная A должна равняться нулю.

Для определения постоянной интегрирования B воспользуемся условием, что на границе приконтактной области с областью p кон-центрация неравновесных носителей заряда будет равна равновесной концентрации в области p. Если начало координат совпадает с грани-цей приконтактной области с областью p, то можно записать:

. (4)

Подставляя значение B в выражение распределения концентра-ции неравновесных носителей заряда в приконтактной области, полу-чим:

. (5)

В этом выражении величина:

(6)

получила название диффузионной длины дырочных носителей заряда. Диффузионная длина характеризует расстояние, на котором концен-трация носителей зарядов уменьшается на величину экспоненты.

Аналогично , для электронных носителей зарядов:

, (7)

где диффузионная длина для электронов определится:

. (8)

Библиографический список

1. Волков, В. М. Микроэлектроника/В.М.Волков – Киев : Техника,1983.

2. Епифанов, И. П. Физические основы микроэлектроники/И.П.Епифанов – М. : Высшая школа, 1983.

3. Епифанов, И. П., Мома Ю. А. Физические основы конструирования и технологии РЭА и ЭВА/И.П.Епифанов, Ю.А.Мома – М. : Сов. радио, 1979.

4. Епифанов, Г. И. Твердотельная электроника/ – М. : Высшая школа, 1986.

5. Росадо, Л. Физическая электроника и микроэлектроника/Л.Росадо – М. : Высшая школа, 1991.

6. Сугано, Такуо. Введение в микроэлектронику/ Такуо, Сугано; пер. с яп. – М. : Мир, 1988.

Лабораторная работа №5

КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИФФУЗИОННЫХ ПРОЦЕССОВ ПРИ КОНТАКТЕ ДВУХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Расчет диффузионной длины носителей зарядов контакта

Двух полупроводников

Приложение прямого напряжения к контакту двух полупроводни-ков приводит к понижению потенциального барьера между p – и n – областями. Это определяет перераспределение концентрации носителей заряда в приконтактной области вследствие процесса диффузии. Для расчета распределения концентрации носителей заряда в приконтакт-ной области воспользуемся уравнениями непрерывности:

(1)

где Dp и Dn – диффузионные постоянные для дырок и электронов;

и – время жизни дырок и электронов;

gp и gn – скорости генерации дырок и электронов;

– напряженность электрического поля в приконтактной области.

В свою очередь, коэффициенты диффузии связаны с подвижностью носителей заряда соотношениями Эйнштейна:

.

При приложении к контакту двух полупроводников прямого на-пряжения, потенциальный барьер, определяемый ионизированными атомами акцепторной и донорной примесями, будет понижаться. При напряжениях, соизмеримых с контактной разностью потенциалов, можно полагать, что напряженность электрического поля в прикон-тактной области будет равна нулю.

Полагая, что генерационные эффекты, связанные с возбуждением носителей зарядов в приконтактной области отсутствуют, можно за-писать для дырочных носителей заряда:

. (2)

Решение этого уравнения будет иметь вид:

, (3)

где A и B – постоянные интегрирования.

Первое слагаемое этого решения не удовлетворяет физическим условиям, так как увеличение x приводит к росту концентрации нерав-новесных носителей заряда. Поэтому постоянная A должна равняться нулю.

Для определения постоянной интегрирования B воспользуемся условием, что на границе приконтактной области с областью p кон-центрация неравновесных носителей заряда будет равна равновесной концентрации в области p. Если начало координат совпадает с грани-цей приконтактной области с областью p, то можно записать:

. (4)

Подставляя значение B в выражение распределения концентра-ции неравновесных носителей заряда в приконтактной области, полу-чим:

. (5)

В этом выражении величина:

(6)

получила название диффузионной длины дырочных носителей заряда. Диффузионная длина характеризует расстояние, на котором концен-трация носителей зарядов уменьшается на величину экспоненты.

Аналогично , для электронных носителей зарядов:

, (7)

где диффузионная длина для электронов определится:

. (8)

Расчет тока проводимости контакта двух полупроводников

Ток проводимости, протекающий через контакт двух полупровод-ников, с одной стороны, будет складываться из тока электронных и тока дырочных носителей заряда:

. (9)

С другой стороны, каждый из этих токов будет определяться дви-жением носителей заряда вследствие диффузии и дрейфа:

, (10)

. (11)

В то же время концентрация неравновесных носителей заряда должна определяться решением уравнений непрерывности для элек-тронов и дырок:

, (12)

. (13)

Решение уравнения непрерывности для электронов будет иметь вид

, (14)

где A1 и B1 – постоянные интегрирования;

Ln1 и Ln2 – эквивалентные диффузионные длины для электронов, которые определяются из уравнения:

. (15)

Решая это уравнение, получим:

, (16)

. (17)

Эквивалентная диффузионная длина Ln2 не удовлетворяет физи-ческим условиям, так как подстановка этой величины в решение урав-нения непрерывности приводит к росту концентрации неравновесных носителей заряда с ростом координаты x. Поэтому будем полагать, что постоянная интегрирования B1 будет равна нулю. Тогда решение уравнения непрерывности запишется:

. (18)

Постоянную интегрирования A1 определим из условия, что при x=0, концентрация неравновесных носителей заряда определится:

. (19)

Тогда для постоянной A1 получим:

. (20)

Подставляя это выражение в решение уравнения непрерывности для концентрации неравновесных носителей, получим:

.(21)

Аналогично эквивалентная диффузионная длина для дырочных носителей заряда определится:

. (22)

Концентрация неравновесных дырочных носителей заряда в об-ласти n определится:

. (23)

Подставляя концентрацию неравновесных электронных носите-лей заряда в выражение электронного тока, получим:

. (24)

Аналогично для дырочного тока можно записать:

. (25)

В силу непрерывности тока, создаваемого движением носителей заряда, ток во всех участках цепи должен иметь одинаковое значение. Поэтому в выражениях для дырочного и электронного токов значение x можно принять равным нулю.

. (26)

Аналогично для дырочного тока можно записать:

. (27)

Значение напряженности электрического поля может определяться как

. (28)

Последнее изменение этой страницы: 2016-06-09

lectmania.ru. Все права принадлежат авторам данных материалов. В случае нарушения авторского права напишите нам сюда...