Главная Случайная страница


Категории:

ДомЗдоровьеЗоологияИнформатикаИскусствоИскусствоКомпьютерыКулинарияМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОбразованиеПедагогикаПитомцыПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРазноеРелигияСоциологияСпортСтатистикаТранспортФизикаФилософияФинансыХимияХоббиЭкологияЭкономикаЭлектроника






Фундаментальные физические постоянные

Числовые значения констант даны с таким числом знаков, чтобы при возможном их уточнении изменение произошло не более чем на единицу в предпоследней значащей цифре.

 

Скорость света в вакууме

 

с= 2,9979∙108 м/с.

 

Постоянная Планка

h = 6,62∙10-34 Дж.c,

ћ = h/2π = 1,05∙10-34 Дж·c.

 

Заряд электрона

е = 1,60∙10-19 Кл,

 

Масса покоя электрона

me = 9,108∙10-31 кг.

 

Число Фарадея

F = eNa = 9,6485∙104 Кл/моль,

где Na – число Авогадро;

Na = 6,022∙1023 моль-1.

 

 

Постоянная Больцмана

где R – универсальная газовая постоянная;

R = 8,314 Дж/(моль К).

 

Магнитная постоянная

μ0=12,56·10-7 Гн/м.

 

Электрическая постоянная

ε0=8,85·10-12 Ф/м.

 

Абсолютный нуль температуры

0 К = -273,15ºС.

Приложение 2

Свойства полупроводников

Наименование параметра Ge Si GaAs
Атомный номер  
Атомная масса 72,59 28,08 72,32
Кристаллическая структура решетка типа алмаза решетка типа алмаза решетка типа цинк. обманки
Постоянная решетки, нм 0,566 0,543 0,563
Концентрация атомов, 1028 м -3 4,42 4,99 1,3
Плотность (при 250С), 103 кг м -3 5,32 2,33 5,3
Твердость по шкале Мооса 6,25 -
Относительная диэлектрическая проницаемость 11,1
Показатель преломления 4,1 3,42 3,4
Работа выхода, эВ 4,78 4,8 -
Термическая ширина запрещенной зоны, эВ экстраполированная к 0 К при 300 К     0,74 0,67     1,21 1,12     1,52 1,43
Температура плавления, ºС
Температура кипения, ºС -
Теплоемкость (при 300 К) Дж/(моль К) 22,919 19,483 -
Линейный коэффициент теплового расширения, 10-6 К-1 6,1 4,2
Теплопроводность, Вт/м (25ºС) 58,6 83,7
Окончание прил. 2
Наименование параметра Ge Si GaAs
Подвижность (при 300 К) дырок, см2/(Вс) электронов, см2/(Вс)      
Коэффициент диффузии (300 К) электронов, см2/с дырок, см2      
Критическая напряженность поля для электронов, В/см для дырок, В/см       -
Критическая скорость электронов, 104 м/с дырок, 104 м/с   3,2 2,4   3,3 2,8   - -
Удельное сопротивление собственного полупроводника (300 K), Ом.см. 2,3·105 -
Относительная эффективная масса электронов дырок   0,12 0,28   0,26 0,49   0,043 0,68
Концентрация собственных носителей заряда каждого знака (300 К), см-3 2,5·1013 1,5·1010 9,21·1013
             


Приложение 3

Некоторые единицы системы СИ

Основные единицы

Величина Символ Наименование Обозначение Размерность
Длина L метр м L
Масса m килограмм кг M
Время t секунда с T
Электрический ток I ампер А I
Температура T кельвин К Θ
Сила света Iv кандела Кд J

 

Некоторые производные механические единицы

Величина Символ Наименование Обозначение Размерность
Плоский угол α,β,φ радиан рад
Телесный угол ω стерадиан ср
Площадь S квадратный метр м2 L2
Объем V кубический метр м3 L3
Частота f герц Гц Т -1
Угловая частота ω радиан в секунду рад/с Т -1
Скорость υ метр в секунду м/с -1
Продолжение прил. 3
Величина Символ Наименование Обозначение Размерность
Ускорение а метр на секунду в квадрате м/с2 -2
Угловая скорость ω радиан в секунду рад/с Т-1
Длина волны λ метр м L
Плотность ρ килограмм на кубический метр кг/м3 ML-3
Работа W джоуль Дж ML2T-2
Мощность Р ватт Вт ML2T-3
Энергия Е джоуль Дж ML2T-2

 

Некоторые производные единицы электрических величин

Величина Символ Наименование единицы Обозначение единицы Размерность
Количество электричества Q кулон Кл TI
Напряженность эл. поля E вольт на метр В/м LMT -3I -1
Электрический потенциал V вольт В L2MT -3I -1
Емкость C фарада Ф L-2M-1T4I2
Сопротивление R ом Ом L2MT -3I -2
Окончание прил. 3
Величина Символ Наименование единицы Обозначение единицы Размерность
Удельное сопротивление ρ ом∙метр Ом·м L3MT -3I -2
Проводимость G сименс См L-2M-1T3I2
Удельная проводимость γ сименс на метр См/м L-3M-1T3I2
Плотность тока j ампер на квадратный метр А/м2 L -2I
Электрическая мощность P ватт Вт L2MT -3
Электрическая энергия W джоуль Дж L2MT -2
диэлектрическая проницаемость относительная ε

 

Некоторые производные единицы магнитных величин

Величина Символ Наименование единиц Обозначение единиц Размерность
Напряженность магнитного поля H ампер на метр А/м L -1I
Магнитный поток Ф вебер Вб L 2MT -2I -1
Магнитная индукция В тесла Тл MT -2I -1
Окончание прил. 3
Величина Символ Наименование единиц Обозначение единиц Размерность
Магнитная проницаемость, относительная μ
Индуктивность L генри Гн L 2MT -2I -2
Взаимная индуктивность M генри Гн L 2MT -2I -2
Магнитное сопротивление R ампер на вебер А/Вб L2M -1T 2I 2
Намагниченность J ампер на метр А/м L -1I

 

 

Приложение 4

Внесистемные единицы, допускаемые к применению

Величина Символ Наименование единиц обозначение единиц Размерность
Объем V литр л L3
Плоский угол α, β градус минута секунда º ‘ “ - - -
Время t минута час мин ч Т Т
Температура t градус Цельсия ºС Θ
Энергия E электрон вольт эВ L 2MT -2

Приложение 5

Плотность некоторых твердых тел

Твердое тело Плотность, 1033
Алюминий Висмут Вольфрам Железо (чугун, сталь) Золото Каменная соль Латунь Марганец Медь Никель Платина Свинец Серебро Уран 2,70 9,80 19,3 7,87 19,3 2,20 8,55 7,40 8,93 8,80 21,4 11,3 10,5 18,7

Приложение 6

Образец оформления титульного листа курсовой работы

 

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ

РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Марийский государственный технический университет

 

Кафедра конструирования

и производства радиоаппаратуры

 

Высокотемпературная сверхпроводимость

__________________________________________________________

(наименование, тема)

 

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

к курсовой работе по дисциплине

“Физические основы микроэлектроники”

 

Разработал:

студент группы РЭС-21 Иванов А.А.________________10.11.10

Консультировал: должность, ФИО __________________10.11.10

 

Оценка ______________________

Члены комиссии ______________________

______________________

______________________

 

Йошкар-Ола, 2010

Приложение 7

Примерный перечень тем курсовых работ

 

1. Наноэлектроника.

2. Структуры пониженной размерности.

3. Одноэлектронные приборы.

4. Дробный квантовый эффект Холла.

5. Эффект Ааронова-Бома.

6. Цилиндрические магнитные домены.

7. Методы нанотехнологии.

8. Свойства наноструктур.

9. Туннельная микроскопия и ее использование в технологии.

10. Направления в криоэлектронике.

11. Ограничения классической микроэлектроники.

12. Приборы с зарядовой связью.

13. Фотоприемники.

14. Полупроводниковые лазеры.

15. Применение арсенида галлия и других сложных полупроводников.

16. Приборы на эффекте Ганна.

17. Гетеропереходы и их структура.

18. Приборы на эффекте Джозефсона.

19. Тонкопленочные элементы.

20. Ионная имплантация.

21. Применение туннельного эффекта.

22. МДМ - структуры.

23. Магнитные запоминающие устройства.

24. Методы получения тонких пленок.

25. Применение сверхпроводимости.

26. Алмазоподобные тонкие пленки.

27. Действие излучений на полупроводники.

28. Методы выращивания монокристаллов.

29. Процессы формирования р-n переходов.

30. Диффузия в полупроводниках.

31. Лазеры и технологии.

32. Процессы в полевых транзисторах.

33. Толстые пленки в микроэлектронике.

34. Механизмы старения п/п приборов.

35. Методы исследования тонких пленок.

36. Методы получения сверхпроводимости.

37. Запоминающие устройства на сверхрешетках.


 

Оглавление

Введение. 3

Цель преподавания дисциплины. 3

Задачи изучения дисциплины. 4

Межпредметные связи. 4

Содержание дисциплины. 5

1. Курсовая работа.. 6

1.1. Содержание курсовой работы. 6

1.2. Выбор темы. 6

1.3. Подбор литературы. 7

1.4. Оформление работы. 8

1.5. Защита работы. 9

2. Расчетно-графическая работа.. 10

2.1. Электрические свойства твердых тел. 10

2.1.1. Основные справочные формулы. 10

2.1.2. Примеры решения задач. 15

2.1.3. Задание 1. 20

2.2. Свойства p-n перехода. 27

2.2.1. Основные справочные формулы. 27

2.2.2. Примеры решения задач. 29

2.2.3. Задание 2. 33

Заключение. 39

Список литературы.. 41

Приложения. 42

1. Фундаментальные физические постоянные. 42

2. Свойства полупроводников. 44

3. Некоторые единицы системы СИ.. 46

4. Внесистемные единицы, допускаемые к применению.. 49

5. Плотность некоторых твердых тел. 50

6. Образец оформления титульного листа курсовой
работы. 50

7. Примерный перечень тем курсовых работ. 50

 


* задачи для всех студентов, без исключения

Последнее изменение этой страницы: 2017-07-07

lectmania.ru. Все права принадлежат авторам данных материалов. В случае нарушения авторского права напишите нам сюда...