Категории: ДомЗдоровьеЗоологияИнформатикаИскусствоИскусствоКомпьютерыКулинарияМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОбразованиеПедагогикаПитомцыПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРазноеРелигияСоциологияСпортСтатистикаТранспортФизикаФилософияФинансыХимияХоббиЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Силовые ключи на МОП транзисторахМОП транзисторы, т.е. имеющие структуру метал – оксид – полупроводник, управляются электрическим полем, получили название MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). В качестве силового ключа используются полевые транзисторы с индуцированным вертикальным каналом (рисунок 13.5,а).
Рисунок 13.5 - Структура полевого транзистора с индуцированным вертикальным каналом (а) и его эквивалентная схема (b)
Он представляет собой р –канальный транзистор, n области стока и истока которого выполняются с повышенной концентрацией, что позволяет снизить сопротивление открытого транзистора. При изготовлении полевого транзистора с вертикальным каналом получается дополнительный транзистор , который не находит практического применения. Эквивалентная схема (рисунок 13.5,b) содержит биполярный транзистор, резистор равный объемному сопротивлению р области. Благодаря этому сопротивлению биполярный транзистор заперт и не оказывает существенного влияния на работу ключа. Значение резистора в эквивалентной схеме равно сопротивлению канала. Рассмотрим схему ключа с учетом влияния междуэлектродных емкостей (рисунок 13.6,а) и определим состояния ключа по выходной характеристике транзистора (рисунок 13.6,b). Рисунок 13.6 - Схема ключа на полевом транзисторе (а) и выходная характеристика (b)
Нагрузкой схемы управления является входная емкость полевого транзистора, она может достигать порядка нескольких тысяч пикофарад. При открывании транзистора необходимо его входную емкость зарядить до порогового напряжения, а при закрывании транзистора емкость следует разрядить. Это приводит к увеличению длительности процессов коммутации. Поэтому ключом следует управлять от источника с очень малым выходным сопротивлением, положим его равным нулю. Тогда общая емкость, подключенная к стоку, равна
, (13.6)
где - емкость нагрузки, - емкость монтажа, - емкость сток – исток, - емкость сток – затвор.
Транзистор может находиться в двух устойчивых состояниях. Транзистор закрыт, точка 1 на выходных характеристиках , , , сопротивление канала , общая емкость заряжена до значения . Транзистор открыт, точка 2 на выходных характеристиках , , сопротивление канала , причем . Эквивалентная схема процесса коммутации и временная диаграмма показаны на рисунке 13.7.
Рисунок 13.7 - Эквивалентная схема (а) и временная диаграмма работы (b) ключа
При подаче положительного напряжения на вход ключа индуцируется канал, и емкость начинает разряжаться постоянным током через открытый канал, напряжение на стоке изменяется по закону
, (13.7)
т.к. - сonst, то
, (13.8)
если , тогда .
Время включения ключа определяется как
. (13.9)
В процессе переключения линия 1-3 на выходных характеристиках (рисунок 13.6,b) перемещается параллельно до тех пор, пока точка 3 не окажется в точке 2. Рассмотрим процесс закрытия транзистора. Транзистор закрывается, если , ток , практически мгновенно ток становится равным нулю, ключ S размыкается, начинается процесс заряда емкости через сопротивление по закону
, где . (13.10)
За время выключения принимается интервал времени, за который напряжение на стоке достигнет 90% от установившегося значения
, (13.11)
. (13.12)
Сравнивая выражения времени включения и времени выключения, учитывая, что , можно установить, что . Область применения ограничена коммутируемым током 50 А, блокирующим напряжением 500 В, частота коммутации100 кГц. Используется в импульсных преобразователях DC/DC, AC/DC, DC/AC, например, в источниках бесперебойного питания. Преимущества силовых ключей на МОП транзисторах: 1. Высокое быстродействие, определяемое только временем заряда и разряда емкости стока. 2. Малое потребление мощности в цепи управления, ток от схемы управления протекает только в моменты заряда и разряда входной емкости ключа. Схема управления часто реализуется в интегральном исполнении. 3. Возможно параллельное соединение нескольких транзисторов. При параллельном соединении проявляется эффект самовыравнивания токов, протекающих через каждый транзистор. Сток и исток транзистора изготовлены из сильно легированного полупроводника n – типа, который имеет положительный ТКС. Если ток через один из транзисторов возрос, это вызовет местный нагрев кристалла и увеличение сопротивления канала; произойдет выравнивание токов по всем параллельно соединенным транзисторам. Основной недостаток – это большая мощность, выделяемая на транзисторе в открытом состоянии, она пропорциональна квадрату тока. Сравним мощность , выделяемую на коллекторе биполярного транзистора, у которого напряжение насыщения величина постоянная, не зависимая от тока = 0.1 В х 50А=5 ВА. Мощность, выделяемая на стоке полевого транзистора, =(50 А)2 х 0.1 Ом=250 ВА. Сравнение явно не в пользу полевого транзистора.
|
|
Последнее изменение этой страницы: 2016-08-29 lectmania.ru. Все права принадлежат авторам данных материалов. В случае нарушения авторского права напишите нам сюда... |